পণ্য

পণ্য

চিপ রোধক

চিপ রেজিস্টর ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং সার্কিট বোর্ডে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর প্রধান বৈশিষ্ট্য হলো এটি মাউন্ট করা থাকে।

সারফেস মাউন্ট টেকনোলজি (SMT) ব্যবহার করে সরাসরি বোর্ডে স্থাপন করা হয়, যার জন্য কোনো পারফোরেশন বা সোল্ডার পিনের প্রয়োজন হয় না। প্রচলিত প্লাগ-ইন রেজিস্টরের তুলনায় চিপ রেজিস্টর আকারে ছোট হয়, ফলে বোর্ড ডিজাইন আরও কম্প্যাক্ট হয়।


  • নির্ধারিত ক্ষমতা:২-৩০ ওয়াট
  • সাবস্ট্রেট উপকরণ:BeO, AlN, Al2O3
  • নামমাত্র রোধের মান:১০০ Ω (ঐচ্ছিকভাবে ১০-৩০০০ Ω)
  • প্রতিরোধ সহনশীলতা:± ৫%, ± ২%, ± ১%
  • তাপমাত্রা সহগ:< ১৫০ পিপিএম/℃
  • কার্যকরী তাপমাত্রা:-৫৫~+১৫০ ℃
  • ROHS মান:এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
  • অনুরোধ সাপেক্ষে কাস্টম ডিজাইন উপলব্ধ।
  • পণ্যের বিবরণ

    পণ্যের ট্যাগ

    চিপ রোধক

    রেটেড পাওয়ার: ২-৩০ ওয়াট;

    স্তর উপাদান: BeO, AlN, Al2O3

    নামমাত্র প্রতিরোধের মান: 100 Ω (10-3000 Ω ঐচ্ছিক)

    রোধ সহনশীলতা: ± ৫%, ± ২%, ± ১%

    তাপমাত্রা সহগ: < ১৫০ পিপিএম/℃

    কার্যকরী তাপমাত্রা: -৫৫~+১৫০ ℃

    ROHS মান: এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ

    প্রযোজ্য মান: Q/RFTYTR001-2022

    示例图

    ডেটা শীট

    শক্তি
    (ডাব্লিউ)
    মাত্রা (একক: মিমি) সাবস্ট্রেট উপাদান কনফিগারেশন ডেটা শীট (পিডিএফ)
    A B C D H
    2 ২.২ ১.০ ০.৫ প্রযোজ্য নয় ০.৪ বিও চিত্র B RFTXX-02CR1022B
    ৫.০ ২.৫ ১.২৫ প্রযোজ্য নয় ১.০ AlN চিত্র B RFTXXN-02CR2550B
    ৩.০ ১.৫ ০.৩ ১.৫ ০.৪ AlN চিত্র C RFTXXN-02CR1530C
    ৬.৫ ৩.০ ১.০০ প্রযোজ্য নয় ০.৬ Al2O3 চিত্র B RFTXXA-02CR3065B
    5 ২.২ ১.০ ০.৪ ০.৬ ০.৪ বিও চিত্র C RFTXX-05CR1022C
    ৩.০ ১.৫ ০.৩ ১.৫ ০.৩৮ AlN চিত্র C RFTXXN-05CR1530C
    ৫.০ ২.৫ ১.২৫ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্র B RFTXX-05CR2550B
    ৫.০ ২.৫ ১.৩ ১.০ ১.০ বিও চিত্র C RFTXX-05CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.৩ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্রW RFTXX-05CR2550W
    ৬.৫ ৬.৫ ১.০ প্রযোজ্য নয় ০.৬ Al2O3 চিত্র B RFTXXA-05CR6565B
    10 ৫.০ ২.৫ ২.১২ প্রযোজ্য নয় ১.০ AlN চিত্র B RFTXXN-10CR2550TA
    ৫.০ ২.৫ ২.১২ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্র B RFTXX-10CR2550TA
    ৫.০ ২.৫ ১.০ ২.০ ১.০ AlN চিত্র C RFTXXN-10CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.০ ২.০ ১.০ বিও চিত্র C RFTXX-10CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.২৫ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্রW RFTXX-10CR2550W
    20 ৫.০ ২.৫ ২.১২ প্রযোজ্য নয় ১.০ AlN চিত্র B RFTXXN-20CR2550TA
    ৫.০ ২.৫ ২.১২ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্র B RFTXX-20CR2550TA
    ৫.০ ২.৫ ১.০ ২.০ ১.০ AlN চিত্র C RFTXXN-20CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.০ ২.০ ১.০ বিও চিত্র C RFTXX-20CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.২৫ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্রW RFTXXN-20CR2550W
    30 ৫.০ ২.৫ ২.১২ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্র B RFTXX-30CR2550TA
    ৫.০ ২.৫ ১.০ ২.০ ১.০ AlN চিত্র C RFTXX-30CR2550C
    ৫.০ ২.৫ ১.২৫ প্রযোজ্য নয় ১.০ বিও চিত্রW RFTXXN-30CR2550W
    ৬.৩৫ ৬.৩৫ ১.০ ২.০ ১.০ বিও চিত্র C RFTXX-30CR6363C

    সংক্ষিপ্ত বিবরণ

    চিপ রেজিস্টর, যা সারফেস মাউন্ট রেজিস্টর নামেও পরিচিত, ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং সার্কিট বোর্ডে বহুল ব্যবহৃত একটি রেজিস্টর। এর প্রধান বৈশিষ্ট্য হলো সারফেস মাউন্ট টেকনোলজি (SMD) ব্যবহার করে পিন ছিদ্র করা বা সোল্ডারিং করার প্রয়োজন ছাড়াই এটিকে সরাসরি সার্কিট বোর্ডে স্থাপন করা যায়।

     

    প্রচলিত রেজিস্টরের তুলনায়, আমাদের কোম্পানির উৎপাদিত চিপ রেজিস্টরগুলো আকারে ছোট এবং উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন, যা সার্কিট বোর্ডের ডিজাইনকে আরও সংহত করে তোলে।

     

    মাউন্টিংয়ের জন্য স্বয়ংক্রিয় সরঞ্জাম ব্যবহার করা যেতে পারে, এবং চিপ রেজিস্টরের উৎপাদন দক্ষতা বেশি হওয়ায় ও এগুলো প্রচুর পরিমাণে উৎপাদন করা যায়, যা এগুলিকে বৃহৎ পরিসরের উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

     

    উৎপাদন প্রক্রিয়াটির পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা অনেক বেশি, যা স্পেসিফিকেশনের সামঞ্জস্য এবং উন্নত মান নিয়ন্ত্রণ নিশ্চিত করতে পারে।

     

    চিপ রেজিস্টরের ইন্ডাকট্যান্স ও ক্যাপাসিট্যান্স কম হওয়ায়, এগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সংকেত প্রেরণ এবং আরএফ (RF) অ্যাপ্লিকেশনের জন্য চমৎকার।

     

    চিপ রেজিস্টরের ওয়েল্ডিং সংযোগ অধিক সুরক্ষিত এবং যান্ত্রিক চাপের প্রতি কম সংবেদনশীল, তাই এগুলোর নির্ভরযোগ্যতা সাধারণত প্লাগ-ইন রেজিস্টরের চেয়ে বেশি হয়।

     

    যোগাযোগ ডিভাইস, কম্পিউটার হার্ডওয়্যার, কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স, অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স ইত্যাদি সহ বিভিন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং সার্কিট বোর্ডে এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

     

    চিপ রেজিস্টর নির্বাচন করার সময়, অ্যাপ্লিকেশনের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী রেজিস্ট্যান্সের মান, পাওয়ার ডিসিপেশন ক্যাপাসিটি, টলারেন্স, টেম্পারেচার কোএফিসিয়েন্ট এবং প্যাকেজিং টাইপের মতো স্পেসিফিকেশনগুলো বিবেচনা করা প্রয়োজন।


  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী: