-
ফ্ল্যাঞ্জযুক্ত টার্মিনেশন
সার্কিটের শেষে ফ্ল্যাঞ্জযুক্ত টার্মিনেশন স্থাপন করা হয়, যা সার্কিটে প্রেরিত সংকেত শোষণ করে এবং সংকেত প্রতিফলন প্রতিরোধ করে, যার ফলে সার্কিট সিস্টেমের সঞ্চালন গুণমান প্রভাবিত হয়। একটি একক লিড টার্মিনাল রেজিস্টরের সাথে ফ্ল্যাঞ্জ এবং প্যাচ ঝালাই করে ফ্ল্যাঞ্জযুক্ত টার্মিনাল তৈরি করা হয়। ফ্ল্যাঞ্জের আকার সাধারণত ইনস্টলেশন হোল এবং টার্মিনাল রেজিস্ট্যান্সের মাত্রার সমন্বয়ের উপর ভিত্তি করে ডিজাইন করা হয়। গ্রাহকের ব্যবহারের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজেশনও করা যেতে পারে।
-
RFTXXN-100AJ8957-3 লেডেড অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৩.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=অ্যাটেনিউয়েশন মান) ইম্পিড্যান্স ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৩.০GHz VSWR ১.২০ সর্বোচ্চ রেটেড পাওয়ার ১০০ W অ্যাটেনিউয়েশন মান ১৩, ২০, ৩০dB অ্যাটেনিউয়েশন টলারেন্স ±১.০dB তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান AlN পোরসেলিন হ্যাট উপাদান মিডিয়াম লেড ৯৯.৯৯% স্টার্লিং সিলভার রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) আউটলাইন ড্রয়িং (একক: মিমি/ইঞ্চি) লেডের দৈর্ঘ্য প্রয়োজন অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যাবে... -
মাইক্রোস্ট্রিপ অ্যাটেনুয়েটর
মাইক্রোস্ট্রিপ অ্যাটেনিউয়েটর হলো এমন একটি ডিভাইস যা মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডের মধ্যে সিগন্যাল অ্যাটেনিউয়েশনে ভূমিকা পালন করে। এটিকে একটি ফিক্সড অ্যাটেনিউয়েটর হিসেবে তৈরি করা মাইক্রোওয়েভ কমিউনিকেশন, রাডার সিস্টেম, স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন ইত্যাদির মতো ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা সার্কিটের জন্য নিয়ন্ত্রণযোগ্য সিগন্যাল অ্যাটেনিউয়েশন ফাংশন প্রদান করে। সাধারণত ব্যবহৃত প্যাচ অ্যাটেনিউয়েশন চিপগুলোর মতো নয়, মাইক্রোস্ট্রিপ অ্যাটেনিউয়েটর চিপগুলোকে ইনপুট থেকে আউটপুটে সিগন্যাল অ্যাটেনিউয়েশন অর্জনের জন্য কোঅ্যাক্সিয়াল সংযোগ ব্যবহার করে একটি নির্দিষ্ট আকারের এয়ার হুডে অ্যাসেম্বল করতে হয়।
অনুরোধ সাপেক্ষে কাস্টম ডিজাইন উপলব্ধ।
-
RFT20N-60AM6363-6 লেডেড অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৬.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFT20N-60AM6363-6 (XX=অ্যাটেনিউয়েশন মান) ইম্পিড্যান্স ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৬.০GHz VSWR ১.২৫ সর্বোচ্চ রেটেড পাওয়ার ৬০ W অ্যাটেনিউয়েশন মান ২০dB অ্যাটেনিউয়েশন টলারেন্স ±০.৮ dB তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান AlN পোরসেলিন হ্যাট উপাদান Al2O3 সীসা ৯৯.৯৯% স্টার্লিং সিলভার রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) আউটলাইন ড্রয়িং (একক: মিমি/ইঞ্চি) গ্রাহকের প্রয়োজন অনুযায়ী সীসার দৈর্ঘ্য কাস্টমাইজ করা যেতে পারে... -
RFTXX-60AM6363B-3 লেডেড অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৩.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXX-60AM6363B-3 (XX=অ্যাটেনিউয়েশন মান) ইম্পিড্যান্স ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৩.০GHz VSWR ১.২৫ সর্বোচ্চ রেটেড পাওয়ার ৬০ W অ্যাটেনিউয়েশন মান ০১-১০dB/১৬dB/২০dB অ্যাটেনিউয়েশন টলারেন্স ±০.৬dB/±০.৮dB/±১.০dB তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান BeO পোর্সেলিন হ্যাট উপাদান Al2O3 সীসা ৯৯.৯৯% স্টার্লিং সিলভার রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) আউটলাইন ড্রয়িং (একক: মিমি/ইঞ্চি) সীসার দৈর্ঘ্য কাটা যাবে... -
RFTXXA-05AM0404-3 লেডেড অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৩.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXXA-05AM0404-3 (XX=অ্যাটেনুয়েশন মান) ইম্পিড্যান্স ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৩.০GHz VSWR ১.২০ সর্বোচ্চ রেটেড পাওয়ার ৫ ওয়াট অ্যাটেনুয়েশন মান(dB) ০১-১০/১৫, ১৭, ২০/২৫, ৩০ অ্যাটেনুয়েশন টলারেন্স(dB) ±০.৬/±০.৮/±১.০ তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান Al2O3 পোর্সেলিন হ্যাট উপাদান Al2O3 লেড ৯৯.৯৯% স্টার্লিং সিলভার রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) আউটলাইন ড্রয়িং (একক: মিমি/ইঞ্চি) লেডের দৈর্ঘ্য ... -
মাইক্রোস্ট্রিপ সার্কুলেটর
মাইক্রোস্ট্রিপ সার্কুলেটর হলো একটি বহুল ব্যবহৃত আরএফ মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস, যা সার্কিটে সিগন্যাল প্রেরণ এবং বিচ্ছিন্নকরণের জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি একটি ঘূর্ণায়মান ম্যাগনেটিক ফেরাইটের উপরে একটি সার্কিট তৈরি করতে থিন ফিল্ম প্রযুক্তি ব্যবহার করে এবং তারপর এটি অর্জনের জন্য একটি চৌম্বক ক্ষেত্র যুক্ত করা হয়। মাইক্রোস্ট্রিপ বৃত্তাকার ডিভাইস স্থাপনের জন্য সাধারণত ম্যানুয়াল সোল্ডারিং অথবা তামার স্ট্রিপের সাথে গোল্ড ওয়্যার বন্ডিং পদ্ধতি অবলম্বন করা হয়। কোঅ্যাক্সিয়াল এবং এমবেডেড সার্কুলেটরের তুলনায় মাইক্রোস্ট্রিপ সার্কুলেটরের গঠন খুবই সরল। সবচেয়ে সুস্পষ্ট পার্থক্য হলো এতে কোনো ক্যাভিটি থাকে না এবং মাইক্রোস্ট্রিপ সার্কুলেটরের কন্ডাক্টরটি ঘূর্ণায়মান ফেরাইটের উপর ডিজাইন করা প্যাটার্ন তৈরি করার জন্য একটি থিন ফিল্ম প্রক্রিয়া (ভ্যাকুয়াম স্পাটারিং) ব্যবহার করে তৈরি করা হয়। ইলেক্ট্রোপ্লেটিং করার পর, উৎপাদিত কন্ডাক্টরটি ঘূর্ণায়মান ফেরাইট সাবস্ট্রেটের সাথে সংযুক্ত করা হয়। গ্রাফের উপরে একটি অন্তরক মাধ্যমের স্তর সংযুক্ত করা হয় এবং মাধ্যমটিতে একটি চৌম্বক ক্ষেত্র স্থাপন করা হয়। এই ধরনের একটি সরল কাঠামোর মাধ্যমে একটি মাইক্রোস্ট্রিপ সার্কুলেটর তৈরি করা হয়েছে।
ফ্রিকোয়েন্সি পরিসর ২.৭ থেকে ৪০ গিগাহার্টজ।
সামরিক, মহাকাশ এবং বাণিজ্যিক প্রয়োগ।
কম ইনসারশন লস, উচ্চ আইসোলেশন, উচ্চ পাওয়ার হ্যান্ডলিং।
অনুরোধ সাপেক্ষে কাস্টম ডিজাইন উপলব্ধ।
-
ব্রডব্যান্ড সার্কুলেটর
ব্রডব্যান্ড সার্কুলেটর আরএফ কমিউনিকেশন সিস্টেমের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যা বিভিন্ন সুবিধার কারণে নানা ধরনের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত। এই সার্কুলেটরগুলো ব্রডব্যান্ড কভারেজ প্রদান করে, যা একটি বিস্তৃত ফ্রিকোয়েন্সি পরিসরে কার্যকর কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে। সিগন্যাল বিচ্ছিন্ন করার ক্ষমতার মাধ্যমে, এগুলো আউট-অফ-ব্যান্ড সিগন্যালের হস্তক্ষেপ প্রতিরোধ করতে এবং ইন-ব্যান্ড সিগন্যালের অখণ্ডতা বজায় রাখতে পারে। ব্রডব্যান্ড সার্কুলেটরের অন্যতম প্রধান সুবিধা হলো এর চমৎকার উচ্চ আইসোলেশন পারফরম্যান্স। একই সাথে, এই রিং-আকৃতির ডিভাইসগুলোর ভালো পোর্ট স্ট্যান্ডিং ওয়েভ বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা প্রতিফলিত সিগন্যাল হ্রাস করে এবং স্থিতিশীল সিগন্যাল ট্রান্সমিশন বজায় রাখে।
ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ ৫৬ মেগাহার্টজ থেকে ৪০ গিগাহার্টজ, ব্যান্ডউইথ ১৩.৫ গিগাহার্টজ পর্যন্ত।
সামরিক, মহাকাশ এবং বাণিজ্যিক প্রয়োগ।
কম ইনসারশন লস, উচ্চ আইসোলেশন, উচ্চ পাওয়ার হ্যান্ডলিং।
অনুরোধ সাপেক্ষে কাস্টম ডিজাইন উপলব্ধ।
-
RFTXX-60CA6363B-3 চিপ অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৩.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXX-60CA6363B-3 (XX= অ্যাটেনুয়েশন মান) রেজিস্ট্যান্স রেঞ্জ ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৩.০GHz VSWR ১.২৫ সর্বোচ্চ পাওয়ার ৬০ W অ্যাটেনুয়েশন মান(dB) ০১-১০dB/১১-২০dB/২১-৩০dB অ্যাটেনুয়েশন টলারেন্স(dB) ±০.৬dB/±০.৮dB/±১.০dB তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান BeO রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) ইনস্টলেশন পদ্ধতি পাওয়ার ডি-রেটিং রিফ্লো সোল্ডারিং সময় ও তাপমাত্রা ডায়াগ্রাম P/N পদবি ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 চিপ অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৩.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= অ্যাটেনুয়েশন মান) রেজিস্ট্যান্স রেঞ্জ ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৩.০GHz VSWR ১.২৫ সর্বোচ্চ পাওয়ার ২০ W অ্যাটেনুয়েশন মান(dB) ০১-১০dB/১১-২০dB/২১-৩০dB অ্যাটেনুয়েশন টলারেন্স(dB) ±০.৬dB/±০.৮dB/±১.০dB টেম্পারেচার কোএফিসিয়েন্ট <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট মেটেরিয়াল AlN রেজিস্ট্যান্স টেকনোলজি থিক ফিল্ম অপারেটিং টেম্পারেচার -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) সাধারণ পারফরম্যান্স: ২dB গ্রাফ ২০dB গ্রাফ ৬dB গ্রাফ ৩০dB গ্রাফ ইনস্টলেশন পদ্ধতি... -
RFTXXN-10CA5025C-6 চিপ অ্যাটেনিউয়েটর ডিসি~৬.০গিগাহার্জ আরএফ অ্যাটেনিউয়েটর
মডেল RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= অ্যাটেনুয়েশন মান) রেজিস্ট্যান্স রেঞ্জ ৫০ Ω ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ DC~৬.০GHz VSWR ১.২৫ সর্বোচ্চ পাওয়ার ১০ ওয়াট অ্যাটেনুয়েশন মান(dB) ০১-১০dB/১১-২০dB অ্যাটেনুয়েশন টলারেন্স(dB) ±০.৬dB/±০.৮dB তাপমাত্রা সহগ <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট উপাদান AlN রেজিস্ট্যান্স প্রযুক্তি থিক ফিল্ম অপারেটিং তাপমাত্রা -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) সাধারণ পারফরম্যান্স: ৬dB গ্রাফ ২০dB গ্রাফ ইনস্টলেশন পদ্ধতি পাওয়ার ডি-রেটিং রিফ্লো সোল্ডারিং সময় ও ... -
RFTXX-250RM1313K লেডেড রেজিস্টর আরএফ রেজিস্টর
মডেল RFTXX-250RM1313K পাওয়ার ২৫০ ওয়াট রেজিস্ট্যান্স XX Ω~ (১০-১০০০Ω কাস্টমাইজযোগ্য) রেজিস্ট্যান্স টলারেন্স ±৫% ক্যাপাসিট্যান্স ২.০ PF@১০০Ω টেম্পারেচার কোএফিসিয়েন্ট <১৫০ppm/℃ সাবস্ট্রেট BeO কভার AL2O3 লেড কপার সিলভার প্লেটিং রেজিস্ট্যান্স এলিমেন্ট থিক ফিল্ম অপারেটিং টেম্পারেচার -৫৫ থেকে +১৫০°C (পাওয়ার ডি-রেটিং দেখুন) প্রস্তাবিত মাউন্টিং পদ্ধতি পাওয়ার ডি-রেটিং রিফ্লো প্রোফাইল P/N ডেজিগনেশন ব্যবহার সতর্কতা ■ নতুন কেনা কম্পোনেন্টের স্টোরেজ পিরিয়ড ৬ মাসের বেশি হয়ে গেলে...
