পণ্য

পণ্য

চিপ টার্মিনেশন

চিপ টার্মিনেশন হলো ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্ট প্যাকেজিংয়ের একটি প্রচলিত পদ্ধতি, যা সাধারণত সার্কিট বোর্ডের সারফেস মাউন্টের জন্য ব্যবহৃত হয়। চিপ রেজিস্টর হলো এক প্রকার রেজিস্টর যা কারেন্ট সীমিত করতে, সার্কিট ইম্পিডেন্স এবং স্থানীয় ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়। প্রচলিত সকেট রেজিস্টরের মতো নয়, প্যাচ টার্মিনাল রেজিস্টরকে সকেটের মাধ্যমে সার্কিট বোর্ডের সাথে সংযুক্ত করার প্রয়োজন হয় না, বরং এগুলো সরাসরি সার্কিট বোর্ডের সারফেসে সোল্ডার করা হয়। এই প্যাকেজিং পদ্ধতি সার্কিট বোর্ডের কম্প্যাক্টনেস, পারফরম্যান্স এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে সাহায্য করে।


  • প্রধান প্রযুক্তিগত বিবরণ:
  • নির্ধারিত ক্ষমতা:১০-৫০০ ওয়াট
  • সাবস্ট্রেট উপকরণ:BeO、AlN、Al2O3
  • নামমাত্র রোধের মান:৫০Ω
  • প্রতিরোধ সহনশীলতা:±৫%、±২%、±১%
  • তাপমাত্রা সহগ:<১৫০ পিপিএম/℃
  • কার্যকরী তাপমাত্রা:-৫৫~+১৫০℃
  • ROHS মান:এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
  • অনুরোধ সাপেক্ষে কাস্টম ডিজাইন উপলব্ধ।
  • পণ্যের বিবরণ

    পণ্যের ট্যাগ

    চিপ টার্মিনেশন (টাইপ এ)

    চিপ টার্মিনেশন
    প্রধান প্রযুক্তিগত বিবরণঃ
    রেটেড পাওয়ারঃ ১০-৫০০ ওয়াট;
    সাবস্ট্রেট উপকরণঃ BeO, AlN, Al2O3
    নামমাত্র রোধের মানঃ ৫০Ω
    রোধ সহনশীলতাঃ ±৫%, ±২%, ±১%
    তাপমাত্রা সহগঃ <150ppm/℃
    কার্যকরী তাপমাত্রাঃ -৫৫~+১৫০℃
    ROHS মান: এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
    প্রযোজ্য মান: Q/RFTYTR001-2022

    asdxzc1
    শক্তি(ডাব্লিউ) ফ্রিকোয়েন্সি মাত্রা (একক: মিমি)   সাবস্ট্রেটউপাদান কনফিগারেশন ডেটা শীট (পিডিএফ)
    A B C D E F G
    ১০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ২.৫ ৫.০ ০.৭ ২.৪ / ১.০ ২.০ AlN চিত্র ২     RFT50N-10CT2550
    ১০ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.০ ১.২৭ ২.৬ ০.৭৬ ১.৪০ বিও চিত্র ১     RFT50-10CT0404
    ১২ ওয়াট ১২ গিগাহার্টজ ১.৫ 3 ০.৩৮ ১.৪ / ০.৪৬ ১.২২ AlN চিত্র ২     RFT50N-12CT1530
    ২০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ২.৫ ৫.০ ০.৭ ২.৪ / ১.০ ২.০ AlN চিত্র ২     RFT50N-20CT2550
    ১০ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.০ ১.২৭ ২.৬ ০.৭৬ ১.৪০ বিও চিত্র ১     RFT50-20CT0404
    ৩০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৬.০ ৬.০ ১.০ ১.৩ ৩.৩ ০.৭৬ ১.৮ AlN চিত্র ১     RFT50N-30CT0606
    ৬০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৬.০ ৬.০ ১.০ ১.৩ ৩.৩ ০.৭৬ ১.৮ AlN চিত্র ১     RFT50N-60CT0606
    ১০০ ওয়াট ৫ গিগাহার্টজ ৬.৩৫ ৬.৩৫ ১.০ ১.৩ ৩.৩ ০.৭৬ ১.৮ বিও চিত্র ১     RFT50-100CT6363

    চিপ টার্মিনেশন (টাইপ বি)

    চিপ টার্মিনেশন
    প্রধান প্রযুক্তিগত বিবরণঃ
    রেটেড পাওয়ারঃ ১০-৫০০ ওয়াট;
    সাবস্ট্রেট উপকরণঃ BeO, AlN
    নামমাত্র রোধের মানঃ ৫০Ω
    রোধ সহনশীলতাঃ ±৫%, ±২%, ±১%
    তাপমাত্রা সহগঃ <150ppm/℃
    কার্যকরী তাপমাত্রাঃ -৫৫~+১৫০℃
    ROHS মান: এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
    প্রযোজ্য মান: Q/RFTYTR001-2022
    সোল্ডার জয়েন্টের আকার: স্পেসিফিকেশন শীট দেখুন
    (গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী পরিবর্তনযোগ্য)

    图片1
    শক্তি(ডাব্লিউ) ফ্রিকোয়েন্সি মাত্রা (একক: মিমি) সাবস্ট্রেটউপাদান ডেটা শীট (পিডিএফ)
    A B C D H
    ১০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.১ ০.৯ ১.০ AlN     RFT50N-10WT0404
    ৮ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.১ ০.৯ ১.০ বিও     RFT50-10WT0404
    ১০ গিগাহার্টজ ৫.০ ২.৫ ১.১ ০.৬ ১.০ বিও     RFT50-10WT5025
    ২০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.১ ০.৯ ১.০ AlN     RFT50N-20WT0404
    ৮ গিগাহার্টজ ৪.০ ৪.০ ১.১ ০.৯ ১.০ বিও     RFT50-20WT0404
    ১০ গিগাহার্টজ ৫.০ ২.৫ ১.১ ০.৬ ১.০ বিও     RFT50-20WT5025
    ৩০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৬.০ ৬.০ ১.১ ১.১ ১.০ AlN     RFT50N-30WT0606
    ৬০ ওয়াট ৬ গিগাহার্টজ ৬.০ ৬.০ ১.১ ১.১ ১.০ AlN     RFT50N-60WT0606
    ১০০ ওয়াট ৩ গিগাহার্টজ ৮.৯ ৫.৭ ১.৮ ১.২ ১.০ AlN     RFT50N-100WT8957
    ৬ গিগাহার্টজ ৮.৯ ৫.৭ ১.৮ ১.২ ১.০ AlN     RFT50N-100WT8957B
    ৮ গিগাহার্টজ ৯.০ ৬.০ ১.৪ ১.১ ১.৫ বিও     RFT50N-100WT0906C
    ১৫০ ওয়াট ৩ গিগাহার্টজ ৬.৩৫ ৯.৫ ২.০ ১.১ ১.০ AlN     RFT50N-150WT6395
    ৯.৫ ৯.৫ ২.৪ ১.৫ ১.০ বিও     RFT50-150WT9595
    ৪ গিগাহার্টজ ১০.০ ১০.০ ২.৬ ১.৭ ১.৫ বিও     RFT50-150WT1010
    ৬ গিগাহার্টজ ১০.০ ১০.০ ২.৬ ১.৭ ১.৫ বিও     RFT50-150WT1010B
    ২০০ ওয়াট ৩ গিগাহার্টজ ৯.৫৫ ৫.৭ ২.৪ ১.০ ১.০ AlN     RFT50N-200WT9557
    ৯.৫ ৯.৫ ২.৪ ১.৫ ১.০ বিও     RFT50-200WT9595
    ৪ গিগাহার্টজ ১০.০ ১০.০ ২.৬ ১.৭ ১.৫ বিও     RFT50-200WT1010
    ১০ গিগাহার্টজ ১২.৭ ১২.৭ ২.৫ ১.৭ ২.০ বিও     RFT50-200WT1313B
    ২৫০ ওয়াট ৩ গিগাহার্টজ ১২.০ ১০.০ ১.৫ ১.৫ ১.৫ বিও     RFT50-250WT1210
    ১০ গিগাহার্টজ ১২.৭ ১২.৭ ২.৫ ১.৭ ২.০ বিও     RFT50-250WT1313B
    ৩০০ ওয়াট ৩ গিগাহার্টজ ১২.০ ১০.০ ১.৫ ১.৫ ১.৫ বিও     RFT50-300WT1210
    ১০ গিগাহার্টজ ১২.৭ ১২.৭ ২.৫ ১.৭ ২.০ বিও     RFT50-300WT1313B
    ৪০০ ওয়াট ২ গিগাহার্টজ ১২.৭ ১২.৭ ২.৫ ১.৭ ২.০ বিও     RFT50-400WT1313
    ৫০০ ওয়াট ২ গিগাহার্টজ ১২.৭ ১২.৭ ২.৫ ১.৭ ২.০ বিও     RFT50-500WT1313

    সংক্ষিপ্ত বিবরণ

    বিভিন্ন পাওয়ার এবং ফ্রিকোয়েন্সির প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরের জন্য উপযুক্ত আকার এবং সাবস্ট্রেট উপাদান নির্বাচন করতে হয়। রেজিস্ট্যান্স এবং সার্কিট প্রিন্টিংয়ের মাধ্যমে সাবস্ট্রেট উপাদানগুলো সাধারণত বেরিলিয়াম অক্সাইড, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড দিয়ে তৈরি করা হয়।

    চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরগুলোকে থিন ফিল্ম বা থিক ফিল্মে ভাগ করা যায়, যেগুলোর বিভিন্ন স্ট্যান্ডার্ড আকার এবং পাওয়ার অপশন রয়েছে। গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী কাস্টমাইজড সমাধানের জন্যও আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।

    সারফেস মাউন্ট টেকনোলজি (এসএমটি) হলো ইলেকট্রনিক উপাদান প্যাকেজিংয়ের একটি প্রচলিত পদ্ধতি, যা সাধারণত সার্কিট বোর্ডের সারফেস মাউন্টের জন্য ব্যবহৃত হয়। চিপ রেজিস্টর হলো এক প্রকার রেজিস্টর যা কারেন্ট সীমিত করতে, সার্কিট ইম্পিড্যান্স এবং স্থানীয় ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়।

    প্রচলিত সকেট রেজিস্টরের মতো নয়, প্যাচ টার্মিনাল রেজিস্টরকে সকেটের মাধ্যমে সার্কিট বোর্ডের সাথে সংযোগ করার প্রয়োজন হয় না, বরং এগুলোকে সরাসরি সার্কিট বোর্ডের পৃষ্ঠে সোল্ডার করা হয়। এই ধরনের প্যাকেজিং সার্কিট বোর্ডের আকার ছোট, কার্যক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে সাহায্য করে।

    বিভিন্ন পাওয়ার এবং ফ্রিকোয়েন্সির প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরের জন্য উপযুক্ত আকার এবং সাবস্ট্রেট উপাদান নির্বাচন করতে হয়। রেজিস্ট্যান্স এবং সার্কিট প্রিন্টিংয়ের মাধ্যমে সাবস্ট্রেট উপাদানগুলো সাধারণত বেরিলিয়াম অক্সাইড, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড দিয়ে তৈরি করা হয়।

    চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরগুলোকে থিন ফিল্ম বা থিক ফিল্মে ভাগ করা যায়, যেগুলোর বিভিন্ন স্ট্যান্ডার্ড আকার এবং পাওয়ার অপশন রয়েছে। গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী কাস্টমাইজড সমাধানের জন্যও আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।

    আমাদের কোম্পানি পেশাদার ডিজাইন এবং সিমুলেশন উন্নয়নের জন্য আন্তর্জাতিক সাধারণ সফটওয়্যার HFSS ব্যবহার করে। বিদ্যুতের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য বিশেষায়িত বিদ্যুৎ কর্মক্ষমতা পরীক্ষা চালানো হয়েছে। এর কর্মক্ষমতা সূচকগুলো পরীক্ষা ও নিরীক্ষা করার জন্য উচ্চ নির্ভুলতার নেটওয়ার্ক অ্যানালাইজার ব্যবহার করা হয়েছে, যার ফলে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা পাওয়া গেছে।

    আমাদের কোম্পানি বিভিন্ন আকার, বিভিন্ন ক্ষমতা (যেমন ২ওয়াট-৮০০ওয়াট পর্যন্ত বিভিন্ন ক্ষমতার টার্মিনাল রেজিস্টর) এবং বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সির (যেমন ১গিগাহার্জ-১৮গিগাহার্জ পর্যন্ত বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সির) সারফেস মাউন্ট টার্মিনাল রেজিস্টর তৈরি ও ডিজাইন করেছে। গ্রাহকদের তাদের নির্দিষ্ট ব্যবহারের প্রয়োজন অনুযায়ী বেছে নিতে এবং ব্যবহার করতে স্বাগত জানাই।
    সারফেস মাউন্ট লেড-ফ্রি টার্মিনাল রেজিস্টর, যা সারফেস মাউন্ট লেড-ফ্রি রেজিস্টর নামেও পরিচিত, হলো একটি ক্ষুদ্রাকৃতির ইলেকট্রনিক উপাদান। এর বৈশিষ্ট্য হলো, এতে প্রচলিত লিড থাকে না, বরং এটি SMT প্রযুক্তির মাধ্যমে সরাসরি সার্কিট বোর্ডে সোল্ডার করা হয়।
    এই ধরণের রোধকের সাধারণত ছোট আকার এবং হালকা ওজনের সুবিধা রয়েছে, যা উচ্চ-ঘনত্বের সার্কিট বোর্ড ডিজাইনকে সম্ভব করে তোলে, স্থান সাশ্রয় করে এবং সামগ্রিক সিস্টেম ইন্টিগ্রেশন উন্নত করে। লিড না থাকার কারণে, এগুলোর প্যারাসাইটিক ইন্ডাকট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্সও কম থাকে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, এবং এটি সিগন্যাল ইন্টারফারেন্স কমিয়ে সার্কিটের কর্মক্ষমতা উন্নত করে।
    এসএমটি লেড-ফ্রি টার্মিনাল রেজিস্টরের ইনস্টলেশন প্রক্রিয়া তুলনামূলকভাবে সহজ, এবং উৎপাদন দক্ষতা বাড়ানোর জন্য স্বয়ংক্রিয় সরঞ্জামের মাধ্যমে ব্যাচ ইনস্টলেশন করা যেতে পারে। এর তাপ অপচয় ক্ষমতা ভালো, যা কার্যকরভাবে রেজিস্টরটি চালু থাকা অবস্থায় উৎপন্ন তাপ কমাতে এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়াতে পারে।
    এছাড়াও, এই ধরণের রোধকের নির্ভুলতা বেশি এবং এটি কঠোর রোধ মানের মাধ্যমে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদা পূরণ করতে পারে। এগুলি ইলেকট্রনিক পণ্যগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন প্যাসিভ কম্পোনেন্ট, আরএফ আইসোলেটর, কাপলার, কোঅক্সিয়াল লোড এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে।
    সামগ্রিকভাবে, SMT সীসাহীন টার্মিনাল রেজিস্টরগুলো তাদের ছোট আকার, ভালো উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পারফরম্যান্স এবং সহজ ইনস্টলেশনের কারণে আধুনিক ইলেকট্রনিক ডিজাইনের একটি অপরিহার্য অংশ হয়ে উঠেছে।


  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী: