চিপ টার্মিনেশন
প্রধান প্রযুক্তিগত বিবরণঃ
রেটেড পাওয়ারঃ ১০-৫০০ ওয়াট;
সাবস্ট্রেট উপকরণঃ BeO, AlN, Al2O3
নামমাত্র রোধের মানঃ ৫০Ω
রোধ সহনশীলতাঃ ±৫%, ±২%, ±১%
তাপমাত্রা সহগঃ <150ppm/℃
কার্যকরী তাপমাত্রাঃ -৫৫~+১৫০℃
ROHS মান: এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
প্রযোজ্য মান: Q/RFTYTR001-2022
| শক্তি(ডাব্লিউ) | ফ্রিকোয়েন্সি | মাত্রা (একক: মিমি) | সাবস্ট্রেটউপাদান | কনফিগারেশন | ডেটা শীট (পিডিএফ) | ||||||
| A | B | C | D | E | F | G | |||||
| ১০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ২.৫ | ৫.০ | ০.৭ | ২.৪ | / | ১.০ | ২.০ | AlN | চিত্র ২ | RFT50N-10CT2550 |
| ১০ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.০ | ১.২৭ | ২.৬ | ০.৭৬ | ১.৪০ | বিও | চিত্র ১ | RFT50-10CT0404 | |
| ১২ ওয়াট | ১২ গিগাহার্টজ | ১.৫ | 3 | ০.৩৮ | ১.৪ | / | ০.৪৬ | ১.২২ | AlN | চিত্র ২ | RFT50N-12CT1530 |
| ২০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ২.৫ | ৫.০ | ০.৭ | ২.৪ | / | ১.০ | ২.০ | AlN | চিত্র ২ | RFT50N-20CT2550 |
| ১০ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.০ | ১.২৭ | ২.৬ | ০.৭৬ | ১.৪০ | বিও | চিত্র ১ | RFT50-20CT0404 | |
| ৩০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৬.০ | ৬.০ | ১.০ | ১.৩ | ৩.৩ | ০.৭৬ | ১.৮ | AlN | চিত্র ১ | RFT50N-30CT0606 |
| ৬০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৬.০ | ৬.০ | ১.০ | ১.৩ | ৩.৩ | ০.৭৬ | ১.৮ | AlN | চিত্র ১ | RFT50N-60CT0606 |
| ১০০ ওয়াট | ৫ গিগাহার্টজ | ৬.৩৫ | ৬.৩৫ | ১.০ | ১.৩ | ৩.৩ | ০.৭৬ | ১.৮ | বিও | চিত্র ১ | RFT50-100CT6363 |
চিপ টার্মিনেশন
প্রধান প্রযুক্তিগত বিবরণঃ
রেটেড পাওয়ারঃ ১০-৫০০ ওয়াট;
সাবস্ট্রেট উপকরণঃ BeO, AlN
নামমাত্র রোধের মানঃ ৫০Ω
রোধ সহনশীলতাঃ ±৫%, ±২%, ±১%
তাপমাত্রা সহগঃ <150ppm/℃
কার্যকরী তাপমাত্রাঃ -৫৫~+১৫০℃
ROHS মান: এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
প্রযোজ্য মান: Q/RFTYTR001-2022
সোল্ডার জয়েন্টের আকার: স্পেসিফিকেশন শীট দেখুন
(গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী পরিবর্তনযোগ্য)
| শক্তি(ডাব্লিউ) | ফ্রিকোয়েন্সি | মাত্রা (একক: মিমি) | সাবস্ট্রেটউপাদান | ডেটা শীট (পিডিএফ) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| ১০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.১ | ০.৯ | ১.০ | AlN | RFT50N-10WT0404 |
| ৮ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.১ | ০.৯ | ১.০ | বিও | RFT50-10WT0404 | |
| ১০ গিগাহার্টজ | ৫.০ | ২.৫ | ১.১ | ০.৬ | ১.০ | বিও | RFT50-10WT5025 | |
| ২০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.১ | ০.৯ | ১.০ | AlN | RFT50N-20WT0404 |
| ৮ গিগাহার্টজ | ৪.০ | ৪.০ | ১.১ | ০.৯ | ১.০ | বিও | RFT50-20WT0404 | |
| ১০ গিগাহার্টজ | ৫.০ | ২.৫ | ১.১ | ০.৬ | ১.০ | বিও | RFT50-20WT5025 | |
| ৩০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৬.০ | ৬.০ | ১.১ | ১.১ | ১.০ | AlN | RFT50N-30WT0606 |
| ৬০ ওয়াট | ৬ গিগাহার্টজ | ৬.০ | ৬.০ | ১.১ | ১.১ | ১.০ | AlN | RFT50N-60WT0606 |
| ১০০ ওয়াট | ৩ গিগাহার্টজ | ৮.৯ | ৫.৭ | ১.৮ | ১.২ | ১.০ | AlN | RFT50N-100WT8957 |
| ৬ গিগাহার্টজ | ৮.৯ | ৫.৭ | ১.৮ | ১.২ | ১.০ | AlN | RFT50N-100WT8957B | |
| ৮ গিগাহার্টজ | ৯.০ | ৬.০ | ১.৪ | ১.১ | ১.৫ | বিও | RFT50N-100WT0906C | |
| ১৫০ ওয়াট | ৩ গিগাহার্টজ | ৬.৩৫ | ৯.৫ | ২.০ | ১.১ | ১.০ | AlN | RFT50N-150WT6395 |
| ৯.৫ | ৯.৫ | ২.৪ | ১.৫ | ১.০ | বিও | RFT50-150WT9595 | ||
| ৪ গিগাহার্টজ | ১০.০ | ১০.০ | ২.৬ | ১.৭ | ১.৫ | বিও | RFT50-150WT1010 | |
| ৬ গিগাহার্টজ | ১০.০ | ১০.০ | ২.৬ | ১.৭ | ১.৫ | বিও | RFT50-150WT1010B | |
| ২০০ ওয়াট | ৩ গিগাহার্টজ | ৯.৫৫ | ৫.৭ | ২.৪ | ১.০ | ১.০ | AlN | RFT50N-200WT9557 |
| ৯.৫ | ৯.৫ | ২.৪ | ১.৫ | ১.০ | বিও | RFT50-200WT9595 | ||
| ৪ গিগাহার্টজ | ১০.০ | ১০.০ | ২.৬ | ১.৭ | ১.৫ | বিও | RFT50-200WT1010 | |
| ১০ গিগাহার্টজ | ১২.৭ | ১২.৭ | ২.৫ | ১.৭ | ২.০ | বিও | RFT50-200WT1313B | |
| ২৫০ ওয়াট | ৩ গিগাহার্টজ | ১২.০ | ১০.০ | ১.৫ | ১.৫ | ১.৫ | বিও | RFT50-250WT1210 |
| ১০ গিগাহার্টজ | ১২.৭ | ১২.৭ | ২.৫ | ১.৭ | ২.০ | বিও | RFT50-250WT1313B | |
| ৩০০ ওয়াট | ৩ গিগাহার্টজ | ১২.০ | ১০.০ | ১.৫ | ১.৫ | ১.৫ | বিও | RFT50-300WT1210 |
| ১০ গিগাহার্টজ | ১২.৭ | ১২.৭ | ২.৫ | ১.৭ | ২.০ | বিও | RFT50-300WT1313B | |
| ৪০০ ওয়াট | ২ গিগাহার্টজ | ১২.৭ | ১২.৭ | ২.৫ | ১.৭ | ২.০ | বিও | RFT50-400WT1313 |
| ৫০০ ওয়াট | ২ গিগাহার্টজ | ১২.৭ | ১২.৭ | ২.৫ | ১.৭ | ২.০ | বিও | RFT50-500WT1313 |
বিভিন্ন পাওয়ার এবং ফ্রিকোয়েন্সির প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরের জন্য উপযুক্ত আকার এবং সাবস্ট্রেট উপাদান নির্বাচন করতে হয়। রেজিস্ট্যান্স এবং সার্কিট প্রিন্টিংয়ের মাধ্যমে সাবস্ট্রেট উপাদানগুলো সাধারণত বেরিলিয়াম অক্সাইড, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড দিয়ে তৈরি করা হয়।
চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরগুলোকে থিন ফিল্ম বা থিক ফিল্মে ভাগ করা যায়, যেগুলোর বিভিন্ন স্ট্যান্ডার্ড আকার এবং পাওয়ার অপশন রয়েছে। গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী কাস্টমাইজড সমাধানের জন্যও আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।
সারফেস মাউন্ট টেকনোলজি (এসএমটি) হলো ইলেকট্রনিক উপাদান প্যাকেজিংয়ের একটি প্রচলিত পদ্ধতি, যা সাধারণত সার্কিট বোর্ডের সারফেস মাউন্টের জন্য ব্যবহৃত হয়। চিপ রেজিস্টর হলো এক প্রকার রেজিস্টর যা কারেন্ট সীমিত করতে, সার্কিট ইম্পিড্যান্স এবং স্থানীয় ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়।
প্রচলিত সকেট রেজিস্টরের মতো নয়, প্যাচ টার্মিনাল রেজিস্টরকে সকেটের মাধ্যমে সার্কিট বোর্ডের সাথে সংযোগ করার প্রয়োজন হয় না, বরং এগুলোকে সরাসরি সার্কিট বোর্ডের পৃষ্ঠে সোল্ডার করা হয়। এই ধরনের প্যাকেজিং সার্কিট বোর্ডের আকার ছোট, কার্যক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে সাহায্য করে।
বিভিন্ন পাওয়ার এবং ফ্রিকোয়েন্সির প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরের জন্য উপযুক্ত আকার এবং সাবস্ট্রেট উপাদান নির্বাচন করতে হয়। রেজিস্ট্যান্স এবং সার্কিট প্রিন্টিংয়ের মাধ্যমে সাবস্ট্রেট উপাদানগুলো সাধারণত বেরিলিয়াম অক্সাইড, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড দিয়ে তৈরি করা হয়।
চিপ টার্মিনাল রেজিস্টরগুলোকে থিন ফিল্ম বা থিক ফিল্মে ভাগ করা যায়, যেগুলোর বিভিন্ন স্ট্যান্ডার্ড আকার এবং পাওয়ার অপশন রয়েছে। গ্রাহকের চাহিদা অনুযায়ী কাস্টমাইজড সমাধানের জন্যও আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।
আমাদের কোম্পানি পেশাদার ডিজাইন এবং সিমুলেশন উন্নয়নের জন্য আন্তর্জাতিক সাধারণ সফটওয়্যার HFSS ব্যবহার করে। বিদ্যুতের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য বিশেষায়িত বিদ্যুৎ কর্মক্ষমতা পরীক্ষা চালানো হয়েছে। এর কর্মক্ষমতা সূচকগুলো পরীক্ষা ও নিরীক্ষা করার জন্য উচ্চ নির্ভুলতার নেটওয়ার্ক অ্যানালাইজার ব্যবহার করা হয়েছে, যার ফলে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা পাওয়া গেছে।
আমাদের কোম্পানি বিভিন্ন আকার, বিভিন্ন ক্ষমতা (যেমন ২ওয়াট-৮০০ওয়াট পর্যন্ত বিভিন্ন ক্ষমতার টার্মিনাল রেজিস্টর) এবং বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সির (যেমন ১গিগাহার্জ-১৮গিগাহার্জ পর্যন্ত বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সির) সারফেস মাউন্ট টার্মিনাল রেজিস্টর তৈরি ও ডিজাইন করেছে। গ্রাহকদের তাদের নির্দিষ্ট ব্যবহারের প্রয়োজন অনুযায়ী বেছে নিতে এবং ব্যবহার করতে স্বাগত জানাই।
সারফেস মাউন্ট লেড-ফ্রি টার্মিনাল রেজিস্টর, যা সারফেস মাউন্ট লেড-ফ্রি রেজিস্টর নামেও পরিচিত, হলো একটি ক্ষুদ্রাকৃতির ইলেকট্রনিক উপাদান। এর বৈশিষ্ট্য হলো, এতে প্রচলিত লিড থাকে না, বরং এটি SMT প্রযুক্তির মাধ্যমে সরাসরি সার্কিট বোর্ডে সোল্ডার করা হয়।
এই ধরণের রোধকের সাধারণত ছোট আকার এবং হালকা ওজনের সুবিধা রয়েছে, যা উচ্চ-ঘনত্বের সার্কিট বোর্ড ডিজাইনকে সম্ভব করে তোলে, স্থান সাশ্রয় করে এবং সামগ্রিক সিস্টেম ইন্টিগ্রেশন উন্নত করে। লিড না থাকার কারণে, এগুলোর প্যারাসাইটিক ইন্ডাকট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্সও কম থাকে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, এবং এটি সিগন্যাল ইন্টারফারেন্স কমিয়ে সার্কিটের কর্মক্ষমতা উন্নত করে।
এসএমটি লেড-ফ্রি টার্মিনাল রেজিস্টরের ইনস্টলেশন প্রক্রিয়া তুলনামূলকভাবে সহজ, এবং উৎপাদন দক্ষতা বাড়ানোর জন্য স্বয়ংক্রিয় সরঞ্জামের মাধ্যমে ব্যাচ ইনস্টলেশন করা যেতে পারে। এর তাপ অপচয় ক্ষমতা ভালো, যা কার্যকরভাবে রেজিস্টরটি চালু থাকা অবস্থায় উৎপন্ন তাপ কমাতে এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়াতে পারে।
এছাড়াও, এই ধরণের রোধকের নির্ভুলতা বেশি এবং এটি কঠোর রোধ মানের মাধ্যমে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদা পূরণ করতে পারে। এগুলি ইলেকট্রনিক পণ্যগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন প্যাসিভ কম্পোনেন্ট, আরএফ আইসোলেটর, কাপলার, কোঅক্সিয়াল লোড এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে।
সামগ্রিকভাবে, SMT সীসাহীন টার্মিনাল রেজিস্টরগুলো তাদের ছোট আকার, ভালো উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পারফরম্যান্স এবং সহজ ইনস্টলেশনের কারণে আধুনিক ইলেকট্রনিক ডিজাইনের একটি অপরিহার্য অংশ হয়ে উঠেছে।